Reparacion fuente ATX Radix VI 750 Tacens

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Reparación fuente ATX Radix VI 750 Tacens

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TNY176PN

INFORMACIÓN DEL TNY176PN TNY176PN conmutador fuera de línea DIP-8C es un circuito integrado de conmutación de energía. Este circuito integrado se utiliza comúnmente en fuentes de alimentación conmutadas para controlar la entrega de energía a diferentes componentes del sistema. El TNY176PN conmutador fuera de línea es especialmente útil para reducir el consumo de energía en los modos de espera o de baja carga, lo que lo hace ideal para aplicaciones de ahorro de energía en dispositivos electrónicos como televisores, monitores de computadora, cargadores de baterías, etc.

¿Cómo funciona el circuito integrado conmutación de energía TNY176PN? El IC TNY176PN DIP-8C funciona a partir de una entrada de voltaje de CC (corriente continua) y entrega una salida de voltaje regulada y controlada para alimentar los diferentes componentes del sistema. Este dispositivo tiene la capacidad de controlar la frecuencia de conmutación y la duración del pulso para controlar la cantidad de energía entregada.

ESPECIFICACIONES Y CARACTERÍSTICAS Matrícula: TNY176PN Encapsulado: DIP-8C Montaje: THT Pines: 7Pines Voltaje de salida: 50V Potencia de salida: 15W Tensión de entrada / alimentación – Mín.: 85VAC Tensión de entrada / alimentación – Máx.: 265 VAC Frecuencia de conmutación: 132 kHz

ST9S313-DAG Descripción El IC está especialmente diseñado para sistemas de suministro de energía conmutados. Proporciona protección contra sobretensión, protección contra sobrecorriente, protección contra subtensión, control de encendido/apagado y generación de buena señal eléctrica.

OVP/UVP (Protección contra sobre/subvoltaje) monitorea 3,3 V, 5 V y duplica 12 V para proteger nuestra fuente de alimentación y PC, FPO sube cuando uno de estos voltajes de suministro excede su rango de voltaje de operación normal.

¿Qué es ST9S313-DAG? El ST9S313-DAG es un circuito integrado de supervisión de voltaje y monitoreo de energía que se utiliza para gestionar el funcionamiento del suministro de energía y mejorar la confiabilidad del sistema.

A diferencia de los componentes IC estándar que realizan operaciones de procesamiento o conmutación de señales, los IC supervisores se centran en monitorear las condiciones de voltaje del sistema y generar señales de control cuando ocurren condiciones anormales.

Las funciones típicas de ST9S313-DAG incluyen:

● Protección contra sobretensión (OVP)

● Protección contra subtensión (UVP)

● Monitoreo del suministro de energía

● Generación de buena señal de potencia

● Control de encendido/apagado

● Rein icio del sistema o activación de la protección

Estas características hacen que el dispositivo sea especialmente útil en aplicaciones donde se requiere un suministro de energía estable. El dispositivo puede monitorear múltiples rieles de voltaje que se encuentran comúnmente en los sistemas de energía, incluidos entornos de suministro de 3,3 V, 5 V y 12 V.

Los pines 5 y 6 del circuito integrado ST9S313 también tienen funciones de protección. El pin 5 mide la tensión de alimentación de 3,3 V, y el pin 6 mide la tensión de alimentación de 5 V. Si el pin 5 es mayor o igual a 3,9 V, se produce una sobretensión (OVP). Si el pin 5 es menor o igual a 2,2 V, se produce una subtensión (UVP). Si el pin 6 es mayor o igual a 6,1 V, se produce una sobretensión (OVP). Si el pin 6 es menor o igual a 3,5 V, se produce una subtensión (UVP). Cuando el circuito integrado ST9S313 está en modo de protección, el pin 8 del circuito integrado, que es el pin de drenaje del FET interno, se conecta al pin GND (pin 2). La tensión PGO es de 0 V. Y el pin 3 del circuito integrado, que es el pin de drenaje de otro FET también en el circuito integrado, se abre (con respecto a GND), por lo que la tensión en este pin aumenta, lo que provoca……

CM6805BSX

SVD13N50F

Key Specifications & Features

• Type: N-channel power MOSFET (S-Rin proprietary DMOS technology) • Drain-Source Voltage ((V_{DSS})): 500V • Continuous Drain Current ((I_{D})): 13A • On-Resistance ((R_{DS(on)})): Typical 0.36 Ω at (V_{GS} = 10\text{V}) • Package Type: TO-220F • Characteristics: Low gate charge, low reverse transfer capacitance ((C_{rss})), fast switching speeds, and improved dv/dt capability.

SVD13N50F Detalles del producto DESCRIPCIÓN GENERAL SVD13N50T/F es un MOS de potencia en modo de mejora de canal N Transistor de efecto de campo que se produce con tecnología patentada de Silan Estructura S-RinTM Tecnología DMOS. La franja plana mejorada La celda y el terminal del anillo de protección mejorado han sido especialmente Diseñado para minimizar la resistencia en estado encendido, proporciona una conmutación superior rendimiento y soportar pulsos de alta energía en caso de avalancha y modo de conmutación. Estos dispositivos se utilizan ampliamente en proveedores de energía CA-CC, CC-CC convertidores y controladores de motores PWM de puente H. CARACTERÍSTICAS ∗ 13A,500V,RDS(encendido)(tipo)=0,36Ω@VGS=10V ∗ Carga de puerta baja ∗ Crss bajo ∗ Cambio rápido ∗ Capacidad dv/dt mejorada

STPS3045C

The STPS3045C is a dual center-tap power Schottky rectifier manufactured by STMicroelectronics.

Key Specifications & Features

• Device Type: Dual center-tap Schottky barrier rectifier (common cathode) • Forward Current ((I_{F})): 30 A total (15 A per diode) • Repetitive Peak Reverse Voltage ((V_{RRM})): 45 V • Packages: TO-220AB, TO-220FPAB, I²PAK, TO-247, and D²PAK • Key Characteristics: • Very small conduction losses • Negligible switching losses • Extremely fast switching speed • Avalanche rated

Common Applications

• Switch-mode power supplies (SMPS) • High-frequency DC-to-DC converters • Low-voltage, high-frequency inverters • Freewheeling and polarity protection circuits

30L45CT

The 30L45CT (such as the popular MBR30L45CT or STPS30L45CT) is a 30-Ampere, 45-Volt Low-Forward-Voltage (Low VF) Dual Schottky Barrier Rectifier.

Key Specifications & Features

• Component Type: Dual common-cathode Schottky diode array • Average Forward Current ((I_{F(AV)})): 30.0 A total (typically 2 × 15 A) • Repetitive Peak Reverse Voltage ((V_{RRM})): 45 V • Forward Voltage Drop ((V_{F})): Low forward voltage drop (approx. 0.5 V to 0.55 V at room temperature), which helps minimize power loss and improve efficiency • Surge Forward Current ((I_{FSM})): 220 A • Operating Junction Temperature Range: -55°C to +150°C • Package Type: Commonly housed in a standard TO-220AB through-hole package (with alternative options like D2PAK, TO-247, or TO-220FPAB depending on the manufacturer).

Common Applications

• Switched-mode power supplies (SMPS) • DC-to-DC converters • Low-voltage, high-frequency inversion circuits • Freewheeling and polarity protection diodes You can view the full electrical characteristics and pinouts via the STMicroelectronics STPS30L45CT Datasheet or the Taiwan Semiconductor MBR30L45CT Datasheet.

30L60CT

Typical Technical Specifications (30LC60 Series Class)

Based on industrial standards for 30A, 600V common-cathode fast recovery rectifiers, the specifications align as follows: • Maximum Repetitive Reverse Voltage ((V_{RRM})): 600 V • Average Forward Rectified Current ((I_{O})): 30 A (typically 15A per diode element if dual common-cathode) • Maximum Forward Voltage Drop ((V_{F})): ≈ 1.5 V to 1.7 V (at rated current) • Reverse Recovery Time ((t_{rr})): Fast to Ultra-fast (≤ 50 ns) • Package Style: Typically TO-247, TO-3P, or TO-220F full-pack insulation styles.

Pinout Configuration (Standard Dual Diode)

Most parts matching this scheme feature a 3-pin configuration:

Anode 1 (Left)
Cathode (Center pin & heat sink tab)
Anode 2 (Right)

PFCD86G 1320110.1 DIODE

Reverse voltage: 600V; VRMS RMS voltage: 420V; Blocking voltage: 600V; Current: 100A; Typical junction capacitance: 50pF; Reverse voltage: 4.0V.DC.

SVD13N50P

VT:3.38V RDS:0.7 OHM CG:1.76NF UF55MV

PFCD86G

VF:502 IR:5.5MA CAP 9PF

PFCD86G 1320110.1 DIODE

Reverse voltage: 600V; VRMS RMS voltage: 420V; Blocking voltage: 600V; Current: 100A; Typical junction capacitance: 50pF; Reverse voltage: 4.0V.DC.

SDV13N50F

VT:3.46V RDS:0.7 OHM CG:1.77NF UF559MV

VT:3.79V RDS:0.8 OHM CG:1.78NF UF561MV

STPS3045CDC

VF1:263MV VF2:263MV

The STPS3045C is a dual center-tap power Schottky rectifier manufactured by STMicroelectronics.

Key Specifications & Features

• Device Type: Dual center-tap Schottky barrier rectifier (common cathode) • Forward Current ((I_{F})): 30 A total (15 A per diode)

30L45CT

MIDE MAL LO RECONOCE COMO DOS RESISENCIAS, EN TESTER SI LO MIDE BIEN, PENDIENTE DE VER TRABJANDO EN ALTA TESION. (SEGURAMENTE ESTE BIEN). MIDE MAL

The 30L45CT (such as the popular MBR30L45CT or STPS30L45CT) is a 30-Ampere, 45-Volt Low-Forward-Voltage (Low VF) Dual Schottky Barrier Rectifier.

The 30LC45T (often listed in datasheets alongside equivalents like the STPS30L45CT or DSA30C45 series) is a 30 Amp, 45 Volt Dual Schottky Barrier Rectifier. It features a common-cathode configuration housed in a standard 3-pin through-hole package.

Key Specifications

Parameter Symbol Value Repetitive Peak Reverse Voltage (V_{RRM}) 45 V Average Forward Current (Total) (I_{F(AV)}) 30 A (15 A per diode element) Forward Voltage Drop (Typ / Max) (V_{F}) ~0.50V to 0.70V (at 15A per leg) Peak Forward Surge Current (I_{FSM}) 200 A to 250 A Configuration — Dual Common Cathode Standard Package — TO-220 / TO-247

Pinout Configuration

Anode 1 (Left Pin)
Common Cathode (Center Pin & Metal Tab)
Anode 2 (Right Pin)

Common Applications

• Switch-Mode Power Supplies (SMPS) • High-frequency DC/DC Converters • Free-wheeling or OR-ing Diodes • Reverse battery protection circuits

3060CT

MIDE MAL LO RECONOCE COMO DOS RESISENCIAS, EN TESTER SI LO MIDE BIEN, PENDIENTE DE VER TRABJANDO EN ALTA TESION. (SEGURAMENTE ESTE BIEN).

Typical Technical Specifications (30LC60 Series Class)

Based on industrial standards for 30A, 600V common-cathode fast recovery rectifiers, the specifications align as follows: • Maximum Repetitive Reverse Voltage ((V_{RRM})): 600 V • Average Forward Rectified Current ((I_{O})): 30 A (typically 15A per diode element if dual common-cathode) • Maximum Forward Voltage Drop ((V_{F})): ≈ 1.5 V to 1.7 V (at rated current) • Reverse Recovery Time ((t_{rr})): Fast to Ultra-fast (≤ 50 ns) • Package Style: Typically TO-247, TO-3P, or TO-220F full-pack insulation styles.

Pinout Configuration (Standard Dual Diode)

Most parts matching this scheme feature a 3-pin configuration:

Anode 1 (Left)
Cathode (Center pin & heat sink tab)
Anode 2 (Right)

Repuestos a comprar:

Circuitos Integrados TNY176PN pedido ST9S313-DAG pedido CM6805BSX pedido ESTA EN CORTO TL431 pedido

Condensadores: 1 - 1000yF 10v - 8 mm diametro 20 mm alto 4 -1000yF 16v - 8 mm diametro 20 mm alto 3 -1000yF 16v - 10 mm diametro 20 mm alto 3 - 1yF 50v- 5 mm diametro 11 mm alto 1 - 220yF 25v - 6 mm diametro 14 mm alto

Transistores y Diodos 2 - 30L60CT 1 - 30L45CT

3 - SVD13N50F 1 - STPS3045C 1 - PFCD86G 1320110.1 DIODE

REPUESTO PEDIDO EL DIA 02-11-2026 FUENTE ESTA ENCIMA DE LA PUERTA HAY QUE PONER EL IC Y REVISAR POSIBLES CORTOS HAY QUE BARNIZAR NO ENCHUFAR HAY QUE ATORNILLAR EL TERMICO AL DISPADOR